科创中国

磷化铟单晶片三步抛光技术研究

原文链接：万方

• 作者：

  杨洪星,王云彪,刘春香,赵权,林健

• 摘要：

  在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制.在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平.在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制.在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制.

• 关键词：

  磷化铟(InP) 三步抛光技术 表面粗糙度 总厚度变化 局部厚度变化

• 作者单位：

  中国电子科技集团公司第四十六研究所

• DOI：

  10.3969/j.issn.1671-4776.2012.10.012

• 来源期刊：

  微纳电子技术

• 年，卷(期)：

  2012010