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基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作

原文链接：万方

• 作者：

  申宁,余隽,唐祯安

• 摘要：

  采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4*4钨微测辐射热计阵列集成芯片.阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方.微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺.钨微测辐射热计像元尺寸为100μm*100μm,填充因子为20%.测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31*10-4W/K,等效热容为1.74*10-7J/K,热时间常数为1.33 ms.当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91*103V/W,探测率为1.88*107cm·Hz1/2/W.

• 关键词：

  CMOS红外探测器 钨微测辐射热计 表面牺牲层技术 低成本红外探测器 红外焦平面阵列

• 作者单位：

  大连理工大学电子科学与技术学院

• 基金项目：

  国家自然科学基金项目(61131004,61274076)

• 来源期刊：

  传感技术学报

• 年，卷(期)：

  2014006