科创中国

化合物半导体器件与电路的研究进展

原文链接：万方

• 作者：

  李岚,王阳,李晓岚,邵会民,杨瑞霞

• 摘要：

  介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景.回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状.分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的特性,InP基HEMT与HBT的器件结构及工作特性,GaN基HEMT与HBT的器件特性参数.总体而言,化合物半导体器件与电路在高功率和高频电子器件方面发展较快,GaAs,InP和GaN材料所制得的各种器件电路工作在不同的频率波段,其在相关领域发展潜力巨大.

• 关键词：

  砷化镓(GaAs) 磷化铟(InP) 氮化镓(GaN) HEMT HBT

• 作者单位：

  中国电子科技集团公司第十三研究所%河北工业大学信息工程学院

• 基金项目：

  国家自然基金资助项目(61076004)

• DOI：

  10.3969/j.issn.1671-4776.2012.10.003

• 来源期刊：

  微纳电子技术

• 年，卷(期)：

  2012010