科创中国

基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器

原文链接：万方

• 作者：

  施朝霞,朱大中

• 摘要：

  基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/( lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。

• 关键词：

  荧光传感器 双结深光电二极管 CMOS CTIA

• 作者单位：

  浙江工业大学信息学院,光纤通信与信息工程研究所,杭州310023%浙江大学信息学院微电子与光电子研究所,杭州,310013

• 基金项目：

  国家自然科学基金项目(61306090)%浙江省级公益性技术应用研究计划项目(2013C31069)

• 来源期刊：

  传感技术学报

• 年，卷(期)：

  2014002