科创中国

一种超宽带MEMS开关的研制

原文链接：万方

• 作者：

  董自强,赵博韬,石国超

• 摘要：

  MEMS射频器件,特别是超宽带器件,对其中的射频器件提出了宽带指标的要求。以此为背景,在理论分析的基础上设计了一种应用于12.5 GHz~50 GHz频带的超宽带双膜桥式MEMS开关,该开关具备低损耗、高隔离度等特点,文中给出了开关的制备工艺,并进行流水完成了芯片制备。经测试,该开关在设计频段内,回波损耗优于20 dB,插入损耗典型值0.3 dB@12.5~35 GHz,优于0.5 dB@45 GHz,隔离度全频段优于20 dB,驱动电压在45 V~55 V之间。

• 关键词：

  电子对抗 RF-MEMS开关 超宽带 双膜桥 电容式

• 作者单位：

  中国电子科技集团公司第五十四研究所,石家庄,050081

• 来源期刊：

  传感技术学报

• 年，卷(期)：

  2014003