科创中国

金刚石电子器件的研究进展

原文链接：万方

• 作者：

  袁明文

• 摘要：

  简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率.回顾了金刚石器件的研究进程.讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层.详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管和功率场效应管.尽管金刚石器件研究仍存在一些问题,如掺杂机理复杂,金刚石的单晶尺寸太小等,严重制约金刚石电子的进展,但是由于金刚石是超高功率和高温器件的优良半导体材料,具有替代行波管技术的潜力.当前,CVD金刚石已经大量用于微电子和光电子,包括激光二极管、微波器件、半导体散热器等.

• 关键词：

  金刚石 宽带隙 电子器件 场效应管(FET) 化学气相沉积(CVD)

• 作者单位：

  中国电子科技集团公司第十三研究所

• DOI：

  10.3969/j.issn.1671-4776.2012.10.002

• 来源期刊：

  微纳电子技术

• 年，卷(期)：

  2012010