科创中国

LiN bO 3芯片的无损边缘抛光实验

原文链接：万方

• 作者：

  李攀,白满社,邢云云,严吉中

• 摘要：

  以抛光垫抛光工艺为基础,研究出一套完整的新型无损边缘抛光工艺,成功实现了高精度光纤陀螺集成光学调制器LiNbO3芯片边缘的无损抛光。即在分析LiNbO3芯片边缘抛光过程中棱边损伤产生原因的基础上,提出3条解决措施:控制研抛浆料中的大颗粒;选择低亚表面损伤的抛光方式;抛光颗粒的大小接近或小于临界切削深度的2倍。加工工件棱边在1500×显微镜下观察无可见缺陷,芯片端面的表面粗糙度 Ra≤0.8 nm,表面平面度优于λ/2,满足了LiNbO3芯片无损边缘抛光要求。同时,该工艺方法具有较大的推广应用价值。

• 关键词：

  铌酸锂 集成光学器件 边缘抛光 光纤陀螺

• 作者单位：

  西安飞行自动控制研究所,陕西西安,710065

• 基金项目：

  总装十二五规划资助项目(51318020101)

• 来源期刊：

  应用光学

• 年，卷(期)：

  2014006