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基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤

原文链接：万方

• 作者：

  白志平,范红玉,袁凯,刘纯洁,安泰岩,王研,赵晨旭,李月

• 摘要：

  本文在600℃对6H-SiC进行了He^+辐照实验,离子辐照能量为100keV,剂量为5*10^15 ions.cm、1*10Mions.cm、3*10Mions.cm^-2和8*10Mions.cm^-2本文采用多模式扫描探针显微镜技术,包括轻敲模式原子力显微镜、纳米压痕/戈0痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析.结果表明,随辐照剂量的增加,样品表面粗糙度逐渐增加,表面硬度逐渐下降.导电模式原子力显微镜能清晰地观测到样品表面氦泡分布形态,进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氦泡产生的.

• 关键词：

  碳化硅 辐照损伤 纳米压痕戌0痕 多模式扫描探针显微镜

• 作者单位：

  大连民族学院物理与材料工程学院,大连116600

• 来源期刊：

  核技术

• 年，卷(期)：

  201437001