科创中国

提高HT-7放电平顶阶段等离子体密度对逃逸电子的影响

原文链接：万方

• 作者：

  竹锦霞,段卓琦,朱俊,方达,陈忠勇

• 摘要：

  利用硬X射线探测系统监测HT-7托卡马克装置中逃逸电子轰击到装置第一壁材料时所产生的高能硬X射线,研究了在放电平顶阶段提高等离子体密度对逃逸电子行为的影响.实验结果表明,通过提高放电平顶阶段等离子体密度,HXR强度迅速降到很低的水平,这意味着能有效减少这个阶段形成的逃逸电子的数目及能量.

• 关键词：

  逃逸电子 等离子体密度 硬X射线

• 作者单位：

  四川文理学院物理与工程技术系%云南师范大学物理与电子信息学院

• 基金项目：

  ITER国内配套研究专项(2009GB104003)% 教育部科学技术研究重点项目(208129)% 国家自然科学研究基金(11005090)% 云南省教育厅科学研究基金项目(09J0025)

• DOI：

  10.3969/j.issn.0254-6086.2012.03.004

• 来源期刊：

  核聚变与等离子体物理

• 年，卷(期)：

  2012003