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超薄Ni_(81)Fe_(19)薄膜的各向异性磁电阻及磁性能

原文链接：万方

• 作者：

  王书运,何建方,王存涛

• 摘要：

  利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜.着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响.利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线.结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m.基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大.随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值.

• 关键词：

  Ni81Fe19薄膜 基片温度 超薄薄膜 各向异性磁电阻 缓冲层厚度

• 作者单位：

  山东师范大学物理与电子科学学院

• 基金项目：

  山东省自然科学基金资助项目(ZR2009FM028)

• 来源期刊：

  理化检验(物理分册)

• 年，卷(期)：

  2012009