科创中国

多孔氢氧化钴薄膜的制备及其超级电容器性能

原文链接：万方

• 作者：

  张永起,夏新辉,康婧,涂江平

• 摘要：

  采用水热合成法在泡沫镍基体上制备了多孔氢氧化钴薄膜.薄膜由厚度约为20 nm的氢氧化钴片层组成.通过循环伏安法、恒电流充放电测试法等对多孔氢氧化钴薄膜电极在2 mol/LKOH电解液中进行电化学性能的测试.结果表明,多孔氢氧化钴薄膜具有良好的赝电容性能.在室温条件下,当电流密度为2 A/g时,多孔氢氧化钴薄膜比容量达到935 F/g,且其大电流放电性能优良,电流密度为40 A/g时其比容量达到589 F/g.多孔薄膜还表现出良好的循环特性,在电流密度2 A/g循环1500周期后,容量保持率为82.6%.

• 关键词：

  超级电容器 氢氧化钴薄膜 电化学性能 水热合成

• 作者单位：

  浙江大学材料科学与工程学系%硅材料国家重点实验室

• 基金项目：

  中国博士后科学基金(20100481401)资助

• DOI：

  10.1007/s11434-012-5291-z

• 来源期刊：

  科学通报

• 年，卷(期)：

  2012027