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可控硅dlT/dt测试线路的设计与测量

原文链接：万方

• 作者：

  郭素萍,居大鹏

• 摘要：

  dlT/dt是衡量可控硅可靠性的一个重要参数,过高的dlT/dt可能会导致可控硅损坏或失效,故设计一个能准确测量此参数的低成苓线路显得尤为关键.本文设计了一个简洁的测量可控硅dlT/dt的测试电路,并介绍了它的测试原理与测试方法,且测量了市场上的BTA208-600B,得出了测试结果,与该产品说明书的值一致、,可应用于研发可控硅的企事业单位和研究所测试可控硅.

• 关键词：

  dlT／dt BTA208-600B 可控硅 测试 电流上升率

• 作者单位：

  无锡科技职业学院尚德光伏学院,江苏无锡214028%恩智浦半导体上海有限公司,上海200000

• 来源期刊：

  电子产品世界

• 年，卷(期)：

  201219008