-
同步辐射小角散射法和中子衍射法研究中子辐照A1-B合金结构
为了研究He在材料中的行为,借助10B的(n,α)核反应,通过反应堆热中子对Al-B合金进行辐照,引入He原子密度达6.2*1025 m-3.采用同步辐射X射线小角散射法(Synchrotron small angle X-ray scattering,SAXS)原位测试了不同温度下合金中He的状态变化,并结合透射电镜(Transmission electron microscope,TEM)对试样进行了观察;采用X射线衍射和中子衍射法分析了合金晶格参数的变化.SAXS分析表明,随着温度升高试样内部的颗粒和孔洞消失,He泡数量不断增多、尺寸增大.700 oC下He泡的半径大约增大到10 nm,与室温时颗粒和孔洞相当.衍射分析表明,B原子引入使得Al晶格常数增大,但不存在可见的第二相,中子辐照使得生成的Li和He原子进入Al晶格,进一步加大了晶格常数.辐照后的样品加热使得He从晶格间隙位置扩散到晶界形成He泡,从而缓解了对晶格的挤压,导致了晶格常数的回复减小,第一性原理计算得到的间隙原子B、Li、He引起的晶格肿胀解释了这一结果.黄朝强,闫冠云,谢雷,孙良卫,陈波,刘耀光,盛六四,刘晓,吴忠华 - 核技术文章来源： 万方数据 -
CSNS反角白光中子实验终端本底及中子准直系统模拟计算
散裂中子源可产生白光中子,具有中子注量率高、热功率小、可脉冲化等优点,其应用十分广泛.其中一个重要的应用是核数据测量.目前,中国缺少白光中子源,因此一直没有开展基于白光中子源的核数据测量工作.目前在建的中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)的反角中子束线,在距散裂靶80 m处的中子强度约为9.25*106n·cm-2·s-1,时间分辨率为0.3%-0.9%,能够较好地用于核数据测量工作.本文介绍了该白光中子束线及实验终端的概况,并重点介绍该实验终端本底计算结果、中子准直系统和束斑参数.通过计算结果得出,CSNS反角白光中子源物理终端具有较低的实验本底和较好的中子束斑,可以开展较高精度的核数据测量工作.任杰,阮锡超,唐洪庆,葛智刚,黄翰雄,敬罕涛,唐靖宇,黄蔚玲 - 核技术文章来源： 万方数据 -
质子-中子相互作用与壳模型配对近似
质子-中子相互作用和质子-中子配对是原子核结构中有趣的问题.本文指出,经验上由结合能提取的质子-中子相互作用和壳模型计算得到的T=0质子-中子相互作用的计算结果很接近;计算中奇奇核和偶偶核的结合能应该附加一个额外项,这个额外项由质子-中子相互作用给出.自旋平行的质子-中子配对(角动量为9,同位旋为0)在96Cd的01+、21+、41+、61+、121+、141+和161+态以及92Pd原子核的01+和21+态中重要,而传统的SD配对近似对于01+和21+态的描述更合适.傅冠健,赵玉民 - 核技术文章来源： 万方数据 -
辐照温度对钨材料表面微结构的影响
本文采用100 eV的He+对钨进行辐照实验,考察了辐照温度变化(室温-800°C)对钨材料的表面损伤作用.分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)以及X射线衍射(X Ray Diffraction,XRD)技术对辐照后样品的微观形貌、内表面缺陷分布以及晶格结构进行了分析.结果表明,He+辐照后钨样品表面出现了纳米绒毛结构层,这种结构层组织间的间距及覆盖率都随辐照温度的增加而增加.纳米结构层会造成样品表面损伤,产生表面离域化,但不会引起钨晶相的改变.通过无损伤的CAFM检测技术证实了样品表面绒毛结构层的形成与样品内表面纳米尺寸He泡的形成有关.安泰岩,范红玉,王研,王翔,李月 - 核技术文章来源： 万方数据 -
时间关联符合法对铀质量和富集度的测量
核材料尤其是高浓铀材料一直是人们重点关注的对象,越来越多的方法和技术手段用来探测其质量和富集度的信息,而重屏蔽体内高浓铀材料质量和富集度的测量是一项技术性的难题.为此,利用14MeV中子和14MeV中子慢化后得到的连续中子能谱来探测铅容器内铀材料质量和富集度的信息,结果如下:在低富集度的范围内,相同富集度的铀样品质量之间存在良好的线性关系;相同质量的铀样品富集度之间也存在良好的线性关系,这为将来探测重屏蔽体内铀材料质量和富集度的信息提供了很好的方法基础.梁庆雷,李井怀,刘国荣,李安利 - 核技术文章来源： 万方数据 -
中子照相系统整体空间分辨率计算与分析
本文综合考虑几何不锐度和探测系统固有不锐度的影响,把准直比、样品与转换屏间距离、转换屏和CCD(CMOS)相机分辨率等关键参数引入到系统脉冲响应函数,推导出更准确和全面的中子照相系统整体空间分辨率计算公式,探讨了公式中各参数与分辨的定量关系和影响规律.利用该公式对中国先进研究堆实时中子成像探测系统在不同准直比条件下的整体空间分辨率进行了计算与分析,讨论了如何优化调整各影响因素以提高中子照相装置的整体测试性能.为中子照相装置的优化设计以及确定特定样品的测试方案,提供了重要的理论依据.贺林峰,韩松柏,王雨,魏国海,武梅梅,王洪立,刘蕴韬,陈东风 - 核技术文章来源： 万方数据 -
252Cf(D2O)中子源实验室中子散射的模拟及验证
为了准确刻度中子剂量当量仪的性能参数以及验证中子剂量当量仪设计的准确性,在252Cf(D2O)源实验室进行实验校准之前,先采用MCNP5分别模拟分析实验室中空气、墙壁以及石蜡桶对探头中子计数的影响.模拟实验表明,在理想条件下,随着源与探头距离的增大,中子计数率越来越小;空气对中子计数的影响呈先增加后减小再增加的趋势,中子散射率不超过10%,且距离越近,空气散射的中子对探头计数的影响越小;当探头与源距离260cm左右时,石蜡桶对探头计数的影响最小,达到1%;墙壁对中子计数的影响随着探头与源距离增大而逐渐增大,当探头与源距离为360cm时,墙壁散射的中子是源中子计数的2倍;当源与探头距离为175cm时,空气、墙壁以及石蜡桶对源中子的散射最小,测量数据最精确.并通过实验与模拟数据对比表明,源与探头距离在125–300cm之间,计数率误差不超过30%,符合中子剂量测量的技术要求,从而验证了此中子剂量当量仪设计的准确性.田时海,王和义,陈旭,袁永刚,张林 - 核技术文章来源： 万方数据 -
辐照激光能量对SiO2薄膜特性及结构的影响
为了认识SiO2薄膜在激光辐照下的变化,本文以K9玻璃为基底,采用电子束热蒸发方法制备了SiO2薄膜,并将此组在相同实验条件下制备的薄膜加以不同能量的激光辐照,研究在激光辐照前后样片的透射率、折射率、消光系数、膜厚、表面形貌及激光损伤阈值(LIDT)的变化.结果表明,样片膜厚随激光能量的增加而减小,辐照激光能改善薄膜表面形貌,并使样片LIDT值提高,最终能使样片的LIDT值从16.96 J/cm2提高至18.8 J/cm2.郭芳,徐均琪,苏俊宏,党少坤,基玛·格拉索夫 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
低能大流强氦离子辐照对钼的表面损伤作用
钼(Mo)材料被作为托卡马克装置中面向等离子体材料的候选材料被广泛研究,因此研究钼材料的辐照损伤行为对于认识聚变堆关键材料的辐照损伤机制具有重要意义.采用低能(100 e V)、大流强(约1021 ions·m-2·s-1)He+在600 oC对钼样品进行辐照实验,考察了离子辐照剂量和退火温度变化对钼材料的表面损伤作用.分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)和无损伤的导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)检测技术对辐照前后样品的微观形貌、微结构演化以及内表面缺陷分布等进行了对比研究.结果表明,He+辐照会诱导钼样品晶粒尺寸的增加,钼材料表面的晶粒取向会影响辐照缺陷的分布.这对于探索抑制材料辐照损伤的新方法具有重要的指导意义.王研,范红玉,吕梦尧,周耿仟,关延民,牛金海 - 核技术文章来源： 万方数据 -
聚变驱动次临界堆热中子上散射截面数据库开发及初步应用
为了提高水冷慢化聚变驱动次临界堆包层中子学分析的精度,在FDS团队自主研发的HENDL3.0/FG(Hybrid Evaluated Nuclear Data Library/Fine Group)细群核数据库基础上,本文采用国际通用应用核数据库加工程序NJOY,设计研发出考虑热中子上散射效应的截面核数据库.利用国际临界安全基准评价实验手册的例题对核数据库的精度进行了测试与校核,验证了数据的可靠性与正确性.同时,采用聚变驱动次临界的聚变裂变混合发电堆(FDS-EM)水冷慢化包层模型对核数据库进行了综合测试与分析,分别从理论及计算分析的角度预测与验证了热中子上散射效应对系统的有效增殖因数、氚增殖率、中子通量密度等参数的影响.孙梦萍,邹俊,王芳,贾伟,胡丽琴 - 核技术文章来源： 万方数据
科创中国
