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化合物半导体器件与电路的研究进展
介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景.回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状.分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的特性,InP基HEMT与HBT的器件结构及工作特性,GaN基HEMT与HBT的器件特性参数.总体而言,化合物半导体器件与电路在高功率和高频电子器件方面发展较快,GaAs,InP和GaN材料所制得的各种器件电路工作在不同的频率波段,其在相关领域发展潜力巨大.李岚,王阳,李晓岚,邵会民,杨瑞霞 - 微纳电子技术文章来源： 万方数据 -
QDH钢制凹模失效分析
通过化学成分分析、宏观检验和金相检验等方法对QDH钢制凹模失效的原因进行了分析.结果表明:由于脱碳层未完全去除,渗氮件表面粗糙以及在渗氮层中形成了脉状及网状氮化物,使模具的冲击韧度显著降低,从而导致模具发生了早期开裂、塌陷及局部剥落.曾会书,李巍 - 理化检验(物理分册)文章来源： 万方数据 -
空间用三结砷化镓太阳电池的生产管理
介绍了三结砷化镓太阳电池的生产管理.通过以合理安排生产计划,做好生产线质量计划;分析不合格原因,提出改进措施;优化三结砷化镓太阳电池结构;采用SPC技术对生产过程进行分析和控制等途径,将三结砷化镓太阳电池成品率从72.6%提高为85%以上,三结砷化镓批产效率从平均光电转换效率为26.8%提高到28%以上,缩短工程型号所需的生产周期,提高了空间型号用太阳电池阵输出功率.何强 - 电源技术文章来源： 万方数据 -
双轴应变对纤锌矿GaN、AlN、InN及其合金电子有效质量的影响
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的电子有效质量.对于GaN和AlN,张应变使电子有效质量增大而压应变使电子有效质量减少,但却使InN电子有效质量在张应变和压应变下都增大.由于三元合金(AlxGa1-xNx InxGa1-xN和AlxIn1-xN)与GaN异质结的新颖特性,同时计算了三元合金在松弛和应变下电子有效质量的变化趋势.受制于GaN基板的平面应力,外延AlxGa1-xN和AlxIn1-xN电子有效质量将减少,而InxGa1-xN电子有效质量增大,且随着In含量变大而更显著.对铟氮化合物应变下电子有效质量异常的机制也做了讨论.周卓帆,张继华,刘伟,杨传仁,陈宏伟,赵强 - 固体电子学研究与进展文章来源： 万方数据
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