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2012年第12期"新型电力电子器件专辑"
《电力电子技术》杂志拟将2012年第12期辟为新型电力电子器件专辑,欲投稿的作者请在2012年09月30日前将论文发至本刊编辑部(Email:dldzjstg@163.com),并注明新型电力电子器件字样.详情见网站www.dldzjs.com.- 电力电子技术文章来源： 万方数据 -
金刚石电子器件的研究进展
简述了金刚石半导体电气性质,即高击穿电场、宽带隙、高载流子饱和速度、高载流子迁移率和高热导率.回顾了金刚石器件的研究进程.讨论了器件的工作机理,包括掺杂和空穴积累层.详细描述了几种具有潜力的金刚石电子器件,如高压二极管和功率场效应管.尽管金刚石器件研究仍存在一些问题,如掺杂机理复杂,金刚石的单晶尺寸太小等,严重制约金刚石电子的进展,但是由于金刚石是超高功率和高温器件的优良半导体材料,具有替代行波管技术的潜力.当前,CVD金刚石已经大量用于微电子和光电子,包括激光二极管、微波器件、半导体散热器等.袁明文 - 微纳电子技术文章来源： 万方数据 -
电路浪涌保护器件(续)
本文分析了压敏电阻、瞬态抑制二极管、静电保护元件、陶瓷气体放电管、玻璃放电管、半导体放电管等电路浪涌保护器件的特性、特点和选用方法,并汇总作了性能比较.孙丹峰,季幼章 - 电源世界文章来源： 万方数据 -
LiN bO 3芯片的无损边缘抛光实验
以抛光垫抛光工艺为基础,研究出一套完整的新型无损边缘抛光工艺,成功实现了高精度光纤陀螺集成光学调制器LiNbO3芯片边缘的无损抛光。即在分析LiNbO3芯片边缘抛光过程中棱边损伤产生原因的基础上,提出3条解决措施:控制研抛浆料中的大颗粒;选择低亚表面损伤的抛光方式;抛光颗粒的大小接近或小于临界切削深度的2倍。加工工件棱边在1500×显微镜下观察无可见缺陷,芯片端面的表面粗糙度 Ra≤0.8 nm,表面平面度优于λ/2,满足了LiNbO3芯片无损边缘抛光要求。同时,该工艺方法具有较大的推广应用价值。李攀,白满社,邢云云,严吉中 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
光电转化器件光阴极量子效率测量研究
光电器件(光电倍增管、光电二极管、太阳能电池等)的应用研究日益广泛,对其性能的测试要求也越来越高,尤其是对其核心部件光阴极光电转化量子效率(Quantum efficiency,QE)的测试和标定.通过建立的光阴极性能测试系统,开展了对各种型号光电器件阴极的测试研究.测试研究内容包括对光阴极在特定波长下QE的绝对测量和相对测量、对光阴极频谱响应特性的测量以及对光阴极面均匀性的扫描测试.目前对多种不同型号的光电二极管(Photo diode,PD)和光电倍增管(Photomultiplier tube,PMT)光阴极QE的测试结果显示,无论采用绝对测量或相对测量,其结果均与已有第三方标定结果一致;同时,搭建的二维扫描测试平台实现了对平面型光阴极均匀性的快速准确测试.夏经铠,钱森,王文文,宁哲,程雅苹,王贻芳,江晓山,王铮,李小男,祁鸣,衡月昆,刘术林 - 核技术文章来源： 万方数据 -
TI发布更高性能的TMS320C665x多棱处理器
德州仪器推出三款基于KeyStone多内核架构、采用TMS320C66x数字信号处理器系列的最新器件.此低功耗解决方案整合了定点与浮点功能,- 电子产品世界文章来源： 万方数据 -
日本理化所电子与放射性核素散射装置
为了精确测量放射性核素原子核的内部结构,日本理化学研究所研制出一种新颖的制作放射性核素靶的方法,使电子与放射性核素散射实验成为可能.该方法主要利用电子储存环中的"离子束缚"现象,使得从外部离子源注入的放射性核素离子被束缚在电子存储环中,形成放射性核素靶并进而与电子束发生散射.电子与放射性核素散射装置于2009年在日本理化学研究所开始建造,其主要包括三个部分:(1)电子束产生装置;(2)电子存储环;(3)放射性核素生成与分离装置.目前除放射性核素生成装置仍然在建设中,其余部分已于2010年建造完成,并利用稳定原子核133Cs和132Xe对其性能进行了测试.结果表明,当电子束流强度约为200 mA时,散射实验的亮度可达约1027 cm-2·s-1.王硕 - 核技术文章来源： 万方数据 -
武汉电子商务产业集群发展策略分析
电子商务产业集群是产业集群创新和电子商务发展的趋势.本文对电子商务产业集群含义进行探讨,分析了武汉电子商务产业集群的发展现状,并从建立电子商务产业园、重点培育特色的电子商务产业链、打造核心竞争力的产业集群三个方面提出武汉发展电子商务产业集群的策略.陈德刚 - 特区经济文章来源： 万方数据
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