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化合物半导体器件与电路的研究进展
介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景.回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状.分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的特性,InP基HEMT与HBT的器件结构及工作特性,GaN基HEMT与HBT的器件特性参数.总体而言,化合物半导体器件与电路在高功率和高频电子器件方面发展较快,GaAs,InP和GaN材料所制得的各种器件电路工作在不同的频率波段,其在相关领域发展潜力巨大.李岚,王阳,李晓岚,邵会民,杨瑞霞 - 微纳电子技术文章来源： 万方数据 -
磷化铟单晶片三步抛光技术研究
在磷化铟单晶片的抛光工艺中,将整个抛光过程分为粗抛、中抛以及精抛三个阶段,分别实现对磷化铟抛光片的总厚度变化、局部厚度变化以及表面粗糙度的控制.在粗抛阶段,采取压纹结构的抛光布、硅胶直径大的抛光液、有效氯含量高的氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较高的作用模式下达到平衡,使磷化铟单晶片表面快速达到镜面水平.在中抛阶段,采取平面结构抛光布、硅胶直径较小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,使化学作用、机械作用在较低的作用模式下达到平衡,实现对磷化铟单晶片局部平整度的控制.在精抛阶段,采取绒毛结构抛光布、硅胶直径更小的抛光液、过氧化氢为氧化剂等措施,实现对磷化铟单晶片表面粗糙度的控制.杨洪星,王云彪,刘春香,赵权,林健 - 微纳电子技术文章来源： 万方数据 -
磷化处理铸件发白原因研究
介绍了磷化处理工艺原理和工艺流程,对缸盖铸件磷化处理后颜色变白的原因进行了试验研究.最后得出如下结论:(1)磷化处理工艺所使用的各种处理溶液均能与磷化液反应并生产白色沉淀;而且磷化处理本身的副反应也会产生磷化沉渣.(2)为避免磷化各工序处理液互相污染,要在各工序前后增加适当的辅助措施,如在每个工序之后增加吹风、在磷化前后多增加几道水洗工序等.此措施对于结构复杂的工件更为必要.(3)为避免磷化液产生沉渣,不但要选取适合的磷化液和处理温度,而且要增加过滤装置,对磷化液进行过滤,保证磷化液纯净以及处理件的处理效果.王小泉 - 现代铸铁文章来源： 万方数据 -
基于丙烯酸-丙烯酰胺共聚物的氧化铟锡蚀刻油墨的制备与性能
以丙烯酸(AA)、丙烯酰胺(AM)为单体,采用水溶液聚合法制备了低黏度聚(丙烯酸-丙烯酰胺)P(AA-co-AM)树脂.使用旋转黏度计和热重分析仪等测试了树脂的性质,并以该树脂为连接料,制备了新型水性氧化铟锡(ITO)蚀刻油墨.探讨了该油墨的保水性、pH变化和蚀刻图像解析度等.结果表明:通过优化合成工艺可制备分子量适宜的P(AA-co-AM)树脂,它在150°C以下无分解现象;油墨在使用3h后失水率仅为3.68%~5.34%,存放60d后pH基本无变化,且丝网印刷效果明显好于市售油墨.钟英立,杨鑫,孙金媛,陈建忠,刘英菊,杨卓鸿 - 功能高分子学报文章来源： 万方数据
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