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1.06 μm激光对CCD、CMOS相机饱和干扰效果对比研究
为了对比激光对CCD、CMOS两种图像传感器的干扰效果,利用1.06 μm高重频激光开展了对CCD、CMOS两种相机的饱和干扰实验研究,分析了两种相机在干扰有效面积、饱和干扰面积、干扰前后图像相关度等与激光入射功率之间的关系.实验结果表明:CMOS相机达到单元像素饱和的激光功率阈值是CCD相机的20倍;要达到相同的干扰有效面积,所需的激光功率CMOS相机要大于CCD相机10倍~100倍;要达到相同的饱和像元数,所需的激光功率CMOS相机比CCD相机约大10倍~60倍.因此,CMOS相机要比CCD相机具有更好的抗1.06 μm激光干扰能力.邵铭,张乐,张雷雷,柴国庆,胡琥香 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/( lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。施朝霞,朱大中 - 传感技术学报文章来源： 万方数据 -
基于CMOS工艺钨微测辐射热计阵列集成芯片的设计与制作
采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本4*4钨微测辐射热计阵列集成芯片.阵列中每个钨微测辐射热计均由微悬桥结构和钨热敏电阻组成,CMOS读出电路集成在阵列下方.微悬桥结构由表面牺牲层技术实现,不需要任何的光刻工艺.钨微测辐射热计像元尺寸为100μm*100μm,填充因子为20%.测试结果表明,在真空环境下,钨微测辐射热计等效热导为1.31*10-4W/K,等效热容为1.74*10-7J/K,热时间常数为1.33 ms.当红外光源的斩波频率为10 Hz时,钨微测辐射热计的电压响应率为1.91*103V/W,探测率为1.88*107cm·Hz1/2/W.申宁,余隽,唐祯安 - 传感技术学报文章来源： 万方数据
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