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弹载全弹道多参数测试仪
为了准确测量引信在膛内及飞行过程的动态参数,设计了一种可置于引信内部通用、灵活的微型多参数测试仪,它具有小体积、微功耗、抗高冲击等特点。该测试仪使用了薄膜线圈和加速度传感器,成功获取了引信在膛内和发射过程的三轴加速度及转速信号。此研究对于引信、弹丸和火炮的设计和研究有着十分重要的意义。祁少文,范锦彪,王燕,马铁华 - 传感技术学报文章来源： 万方数据 -
小尺度浅层瞬变电磁检测复合材料的实验研究
针对碳纤维复合材料复杂的结构特点,借鉴地质勘探中的瞬变电磁法,提出小尺度浅层瞬变电磁法对复合材料进行检测.采用浅部瞬变电磁勘探系统,通过改进检测线圈结构并合理选择阻尼电阻,可以实现碳纤维复合材料的瞬变电磁检测.实验结果表明,剖面曲线主要异常的个数与实际缺陷的个数相同,而且异常宽度与缺陷大小的变化规律也是一一对应的.陈兵芽,于润桥 - 仪表技术与传感器文章来源： 万方数据 -
一种磁致伸缩位移传感器的优化设计方法
介绍了磁致伸缩直线位移传感器的测量原理,对传感器中的关键电路进行了优化。在激励脉冲发生装置的设计中,提出了一种低成本、低功耗且兼顾脉冲质量的实现方案。在回波信号拾取装置的设计中,确定了其中关键参数。在计时装置的设计中,提出了一种简单同时满足精度要求的计时方案。经过优化的传感器具有很好的静态特性,且具有低成本、低功耗、多接口等优点。李丛珊,姜印平 - 传感技术学报文章来源： 万方数据 -
一种监控膜厚的新算法
光学薄膜的光学特性与其每一膜层的厚度密切相关,为了制备出符合要求的光学薄膜产品,在制备过程中必须监控膜厚.光学薄膜实时监控精度决定了所镀制的光学薄膜的厚度精度.针对光电极值法极值点附近监控精度低、无法精确监控非规整膜系的缺陷,提出了新的光学薄膜膜厚监控算法.该算法通过数学运算,使得光学薄膜的光学厚度与透射率呈线性关系,并且有效地消除光源波动、传输噪声等共模干扰的影响,算法精度可控制在2%以内.弥谦,赵磊 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
杜邦扩大聚酰亚胺薄膜产能
杜邦公司7月底宣布,由于聚酰亚胺薄膜需求持续强劲增长,该公司打算对在美国俄亥俄州Circleville的Kapton品牌聚酰亚胺薄膜装置进行扩能改造,今年第四季度该装置产能将增加400t/a.Kapton薄膜具有较好的导热性和耐电晕性,可用于消费类电子、光伏能源、航空航天、汽车等领域.- 塑料工业文章来源： 万方数据 -
EAST-NBI偏转磁体线圈水冷能力分析与测试研究
偏转磁体是中性束注入器的关键部件之一,它安装在中性束注入器真空室内部.为适应核聚变研究装置对中性束注入器高能量、长脉冲、稳态运行的要求,对其偏转磁体原先励磁线圈的水冷系统进行了分析,提出增加水冷抽头的方法完成了改进设计,并对改进前后线圈的冷却能力进行了实验测试.测试结果显示,当中性束注入器长脉冲稳态运行时,改进后的水冷结构能及时带走偏转磁体励磁线圈产生的热量;冷却水的进出口水温差约21 oC;偏转磁体线圈导体表面的温度约45 oC;改进设计水冷系统性能得到优化,满足了EAST-NBI高参数、稳态运行的要求.赵祥学,王艳,梁立振,胡纯栋,韦江龙 - 核技术文章来源： 万方数据 -
超薄Ni_(81)Fe_(19)薄膜的各向异性磁电阻及磁性能
利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fe19(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜.着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响.利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线.结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m.基片温度为500℃制备的薄膜,饱和磁化强度Ms值最大.随着缓冲层厚度x的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值.王书运,何建方,王存涛 - 理化检验(物理分册)文章来源： 万方数据 -
动态脑电地形图调节的经穴磁刺激系统设计
针对现有电、磁刺激系统参数调节存在的不足,设计了一种利用动态脑电地形图反馈调节的经穴磁刺激系统.该系统磁刺激发生模块基于DDS技术,利用单片机编程产生刺激波形、幅度、频率可调的刺激信号,功率放大后,经喇叭状刺激线圈产生磁场,作用于人体穴位.脑电仪在线检测大脑的脑电信号,经计算机数据处理,实时显示大脑α波动态脑电地形图,并反馈调节磁刺激强度、刺激频率和刺激波形.结果表明,该系统可以优化经穴磁刺激的输入方式,改善大脑α波能量,促进脑瘫病人神经系统恢复和康复训练.乔晓艳,王春晖 - 测试技术学报文章来源： 万方数据 -
Hf02/Si02薄膜的激光预处理作用研究
对电子柬蒸发方式镀制的HfO2/SiO2反射膜采用大口径激光进行辐照,采用激光量热计测量了激光辐射前后的弱吸收值.实验发现HfO2/SiO2反射膜在分别采用1064nm和532nm的激光辐照前后薄膜吸收分别从5.4%和1.7%降低到1.4和1.2%.采用聚焦离子束技术分析了激光辐照后薄膜的损伤形态并探究了损伤原因,发现:薄膜在激光辐照下存在节瘤的地方容易出现薄膜损伤,具体表现为熔融、部分喷发、完全脱落3种形态,节瘤缺陷种子来源的差异是导致其损伤机理也存在着巨大差异的主要原因.同时这些节瘤缺陷种子来源也影响着激光预处理作用效果,激光预处理技术对于祛除位于基底上种子形成的节瘤是有效的,原因是激光辐射过后该节瘤进行了预喷发而不会对后续激光产生影响;而激光预处理技术对位于膜层中间的可能是镀膜过程中材料飞溅引起的缺陷是无效的,需要通过飞秒激光手段对该类节瘤进行祛除.李海波,杜雅薇,张清华,卫耀伟 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
辐照激光能量对SiO2薄膜特性及结构的影响
为了认识SiO2薄膜在激光辐照下的变化,本文以K9玻璃为基底,采用电子束热蒸发方法制备了SiO2薄膜,并将此组在相同实验条件下制备的薄膜加以不同能量的激光辐照,研究在激光辐照前后样片的透射率、折射率、消光系数、膜厚、表面形貌及激光损伤阈值(LIDT)的变化.结果表明,样片膜厚随激光能量的增加而减小,辐照激光能改善薄膜表面形貌,并使样片LIDT值提高,最终能使样片的LIDT值从16.96 J/cm2提高至18.8 J/cm2.郭芳,徐均琪,苏俊宏,党少坤,基玛·格拉索夫 - 应用光学文章来源： 万方数据
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