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辐照温度对钨材料表面微结构的影响
本文采用100 eV的He+对钨进行辐照实验,考察了辐照温度变化(室温-800°C)对钨材料的表面损伤作用.分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)以及X射线衍射(X Ray Diffraction,XRD)技术对辐照后样品的微观形貌、内表面缺陷分布以及晶格结构进行了分析.结果表明,He+辐照后钨样品表面出现了纳米绒毛结构层,这种结构层组织间的间距及覆盖率都随辐照温度的增加而增加.纳米结构层会造成样品表面损伤,产生表面离域化,但不会引起钨晶相的改变.通过无损伤的CAFM检测技术证实了样品表面绒毛结构层的形成与样品内表面纳米尺寸He泡的形成有关.安泰岩,范红玉,王研,王翔,李月 - 核技术文章来源： 万方数据 -
辐照激光能量对SiO2薄膜特性及结构的影响
为了认识SiO2薄膜在激光辐照下的变化,本文以K9玻璃为基底,采用电子束热蒸发方法制备了SiO2薄膜,并将此组在相同实验条件下制备的薄膜加以不同能量的激光辐照,研究在激光辐照前后样片的透射率、折射率、消光系数、膜厚、表面形貌及激光损伤阈值(LIDT)的变化.结果表明,样片膜厚随激光能量的增加而减小,辐照激光能改善薄膜表面形貌,并使样片LIDT值提高,最终能使样片的LIDT值从16.96 J/cm2提高至18.8 J/cm2.郭芳,徐均琪,苏俊宏,党少坤,基玛·格拉索夫 - 应用光学文章来源： 万方数据 -
低能大流强氦离子辐照对钼的表面损伤作用
钼(Mo)材料被作为托卡马克装置中面向等离子体材料的候选材料被广泛研究,因此研究钼材料的辐照损伤行为对于认识聚变堆关键材料的辐照损伤机制具有重要意义.采用低能(100 e V)、大流强(约1021 ions·m-2·s-1)He+在600 oC对钼样品进行辐照实验,考察了离子辐照剂量和退火温度变化对钼材料的表面损伤作用.分别采用扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)和无损伤的导电原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy,CAFM)检测技术对辐照前后样品的微观形貌、微结构演化以及内表面缺陷分布等进行了对比研究.结果表明,He+辐照会诱导钼样品晶粒尺寸的增加,钼材料表面的晶粒取向会影响辐照缺陷的分布.这对于探索抑制材料辐照损伤的新方法具有重要的指导意义.王研,范红玉,吕梦尧,周耿仟,关延民,牛金海 - 核技术文章来源： 万方数据 -
基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤
本文在600℃对6H-SiC进行了He^+辐照实验,离子辐照能量为100keV,剂量为5*10^15 ions.cm、1*10Mions.cm、3*10Mions.cm^-2和8*10Mions.cm^-2本文采用多模式扫描探针显微镜技术,包括轻敲模式原子力显微镜、纳米压痕/戈0痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析.结果表明,随辐照剂量的增加,样品表面粗糙度逐渐增加,表面硬度逐渐下降.导电模式原子力显微镜能清晰地观测到样品表面氦泡分布形态,进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氦泡产生的.白志平,范红玉,袁凯,刘纯洁,安泰岩,王研,赵晨旭,李月 - 核技术文章来源： 万方数据 -
同步辐射小角散射法和中子衍射法研究中子辐照A1-B合金结构
为了研究He在材料中的行为,借助10B的(n,α)核反应,通过反应堆热中子对Al-B合金进行辐照,引入He原子密度达6.2*1025 m-3.采用同步辐射X射线小角散射法(Synchrotron small angle X-ray scattering,SAXS)原位测试了不同温度下合金中He的状态变化,并结合透射电镜(Transmission electron microscope,TEM)对试样进行了观察;采用X射线衍射和中子衍射法分析了合金晶格参数的变化.SAXS分析表明,随着温度升高试样内部的颗粒和孔洞消失,He泡数量不断增多、尺寸增大.700 oC下He泡的半径大约增大到10 nm,与室温时颗粒和孔洞相当.衍射分析表明,B原子引入使得Al晶格常数增大,但不存在可见的第二相,中子辐照使得生成的Li和He原子进入Al晶格,进一步加大了晶格常数.辐照后的样品加热使得He从晶格间隙位置扩散到晶界形成He泡,从而缓解了对晶格的挤压,导致了晶格常数的回复减小,第一性原理计算得到的间隙原子B、Li、He引起的晶格肿胀解释了这一结果.黄朝强,闫冠云,谢雷,孙良卫,陈波,刘耀光,盛六四,刘晓,吴忠华 - 核技术文章来源： 万方数据 -
1MeV电子加速器辐照剂量的测量
目前吸收剂量的测量方法有多种,对低能电子束吸收剂量进行测量时,由于受到电子束穿透深度、热效应、动态加工等因素的影响,可用方法很少,通常用显色薄膜剂量片进行测量.本文采用FWT-60-00薄膜显色剂量片测量1MeV低能电子束进行辐照加工时的吸收剂量,研究了吸收剂量与束流强度、辐照时间、束下装置运行速度的关系,测量了材料中吸收剂量的深度分布,并对加速器能量进行了校正.结果表明:在相同的辐照时间和电子能量下,吸收剂量随束流的增加线性增长;速度较高时,吸收剂量与小车速度也呈现出良好的线性关系.杜纪富,姜灿,王升,陈思,李月生 - 测试技术学报文章来源： 万方数据 -
辐照改性聚乙烯醇缩甲醛精密过滤材料的制备与性能分析
聚乙烯醇缩甲醛过滤材料具有气孔细微、过滤精度高、通量大、无纤维脱落等特点,在精密过滤领域具有广阔的应用空间.本研究以聚乙烯醇PVA-1799和甲醛为主要原料,季戊四醇三丙烯酸酯为改性剂,利用γ射线辐照技术制备了改性聚乙烯醇缩甲醛(Poly(vinyl formal),PVF)过滤材料,对材料的泡孔结构、力学性能、尺寸稳定性、吸水率、耐水性能及耐油性能进行了测试与表征.结果表明,材料的孔径小于300μm,拉伸断裂强度达到3.01 MPa,撕裂强度达到13.23 MPa;以辐射技术所制备的泡沫材料尺寸稳定性良好,具有更佳的力学性能和耐油耐水性能.采用辐照技术能够简化PVF过滤材料生产工艺,减少无机酸和甲醛用量,减轻环境污染.王连才,曹巍,翟彤,翟宇,酒永斌,曾心苗 - 核技术文章来源： 万方数据 -
脑缺血和再灌注损伤与防治机制的研究进展
总结脑缺血和再灌注损伤的发生和防治机制的研究进展,展望未来研究趋势.采用文献归纳总结的方法进行分析.脑缺血和再灌注造成的损伤与炎性反应、细胞内Ca2+超载、自由基的迅速增加、兴奋性氨基酸的大量释放等因素有关.防治脑缺血和再灌注损伤的机制主要有缩短缺血时间、阻断谷氨酸受体偶联的Na+和Ca2+内流、清除自由基、抑制凋亡、减轻炎症反应、促进神经元生长与修复等多个方面.多靶点联合治疗可能是防治脑缺血和再灌注损伤的一个方向.吴金华,马慧萍,蒙萍,贾正平 - 药学实践杂志文章来源： 万方数据 -
C型Lisfranc损伤18例外科治疗体会
目的:探讨C型Lisfranc损伤的手术治疗方法及效果.方法:对18例C型Lisfrane损伤患者,行切开复位,钢板、螺钉、克氏针固定,术后按照Maryland足功能评分标准进行疗效评定.结果:18例患者术后获11个月至48个月(平均37个月)随访.所有患者术后均无内固定断裂、再骨折脱位等并发症发生.按照Maryland足功能评分标准评定疗效:68~92分,平均81分;其中优4例,良10例,可4例,优良率为77.7%.疗效欠佳的主要表现为长时间行走中足疼痛、活动度减少.结论:对于C型Lisfranc损伤,解剖复位、牢固内固定、重建足弓、恢复维持足部内外侧纵弓及横弓解剖形态是治疗的关键.张志 - 陕西医学杂志文章来源： 万方数据
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